5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-41 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 5.6 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 45 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3827A-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, HERMETIC SEALED, GLASS PAC |
|
| 1N3827A-AP | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N3827A-BP | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N3827AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-202AA, ROHS COMPLIANT, HERMETI |
|
| 1N3827AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-202AA, ROHS COMPLIANT, HERMETI |
|
| 1N3827ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
|
| 1N3827ATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 1W, |
|
| 1N3827AUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES |
|
| 1N3827AUR-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT |
|
| 1N3827AUR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, ROHS COMPLIANT, HERM |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
