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1N3519TR

更新时间: 2024-11-29 18:32:03
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CENTRAL 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
Zener Diode, 11V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

1N3519TR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.26
其他特性:LOW IMPEDANCE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:11 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N3519TR 数据手册

  

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