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1N3349BR

更新时间: 2024-11-20 13:03:27
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 89K
描述
Zener Diode, 180V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5

1N3349BR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-MUPM-D1Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.75其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-5JESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:50 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:180 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:68 mA
Base Number Matches:1

1N3349BR 数据手册

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