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1N303B

更新时间: 2024-01-26 04:55:01
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其他 - ETC 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 267K
描述
silicon diode

1N303B 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.75Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V最大非重复峰值正向电流:0.5 A
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.065 A最大重复峰值反向电压:125 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
Base Number Matches:1

1N303B 数据手册

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