是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-4 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.14 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 300 Ω |
JEDEC-95代码: | DO-203AA | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 10 W | 认证状态: | Not Qualified |
标称参考电压: | 200 V | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 5% | 工作测试电流: | 12 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N3015RBE3 | MICROSEMI |
功能相似 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-203AA, HERMETIC SEALED, METAL | |
NTE5232A | NTE |
功能相似 |
Zener Diode, 10 Watt ±5% Tolerance |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N3015RBE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-203AA, HERMETIC SEALED, METAL | |
1N3015RBLEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, HERMETIC SEALED, METAL PAC | |
1N3015RC | MICROSEMI |
获取价格 |
10 WATT ZENER DIODES | |
1N3015RCE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 2%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-203AA, HERMETIC SEALED, METAL | |
1N3015RD | MICROSEMI |
获取价格 |
10 WATT ZENER DIODES | |
1N3015RDE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 200V V(Z), 1%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-203AA, HERMETIC SEALED, METAL | |
1N3016 | MOTOROLA |
获取价格 |
1.0 WATT METAL SILICON ZENER DIODES | |
1N3016 | MICROSEMI |
获取价格 |
1 WATT METAL CASE ZENER DIODES | |
1N3016 | NJSEMI |
获取价格 |
1N3821 thru 1N3830, 1N3016 thru 1N3051 | |
1N3016A | MOTOROLA |
获取价格 |
Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-13 |