是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-4 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.5 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-203AA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 10 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 56 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | TIN LEAD OVER NICKEL | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 1% | 工作测试电流: | 45 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N2999ACOX.120 | MICROSEMI |
功能相似 |
Zener Diode, 56V V(Z), 10%, Silicon, Unidirectional, | |
1N2999RC | MICROSEMI |
功能相似 |
10 WATT ZENER DIODES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N2999RDE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 56V V(Z), 1%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-203AA, HERMETIC SEALED, METAL | |
1N2G20 | NJSEMI |
获取价格 |
Temperature-compensated zcncr reference diodes | |
1N2G21A | NJSEMI |
获取价格 |
Temperature-compensated zcncr reference diodes | |
1N2G22 | NJSEMI |
获取价格 |
Temperature-compensated zcncr reference diodes | |
1N2G22A | NJSEMI |
获取价格 |
Temperature-compensated zcncr reference diodes | |
1N2G23 | NJSEMI |
获取价格 |
Temperature-compensated zcncr reference diodes | |
1N2G24 | NJSEMI |
获取价格 |
Temperature-compensated zcncr reference diodes | |
1N2G244B | NJSEMI |
获取价格 |
Temperature-compensated zcncr reference diodes | |
1N300 | ETC |
获取价格 |
silicon diode | |
1N3000 | NAINA |
获取价格 |
10 WATT ZENER DIODES |