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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N25CR | ETC |
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SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |
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| 1N25M | ASI |
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Mixer Diode, L Band, 12.6dB Noise Figure, Silicon, DO-22, HERMETIC SEALED, DO-22, 1 PIN |
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| 1N25MR | ASI |
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Mixer Diode, L Band, 12.6dB Noise Figure, Silicon, DO-22, HERMETIC SEALED, DO-22, 1 PIN |
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| 1N25R | ETC |
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SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |
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| 1N25X | ETC |
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SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |
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| 1N26 | SKYWORKS |
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Mixer Diode, 600ohm Z(V) Max, 13.1dB Noise Figure, Silicon |
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| 1N26 | ASI |
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Mixer Diode, K Band, 600ohm Z(V) Max, 13.1dB Noise Figure, Silicon, DO-37, HERMETIC SEALED |
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| 1N2609 | NJSEMI |
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FLANGELESS RECTIFIERS |
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| 1N2610 | NJSEMI |
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FLANGELESS RECTIFIERS |
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| 1N2610A | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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