是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-5 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.55 | 应用: | POWER |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-203AB | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 800 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 40 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 250 V |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N2022RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 250V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P | |
1N2023 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N2023 | NJSEMI |
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Silicon Power Rectifiers | |
1N2023A | NJSEMI |
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Temperature-compensated zcncr reference diodes | |
1N2023R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P | |
1N2023RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P | |
1N2024 | NJSEMI |
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Silicon Power Rectifiers | |
1N2024 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N2024R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 350V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P | |
1N2025 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |