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1MBI300JN120

更新时间: 2024-01-28 17:04:36
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其他 - ETC 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 378K
描述
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)

1MBI300JN120 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):300 A集电极-发射极最大电压:1200 V
门极-发射极最大电压:20 V元件数量:1
最高工作温度:150 °C最大功率耗散 (Abs):1600 W
子类别:Insulated Gate BIP TransistorsVCEsat-Max:2.2 V
Base Number Matches:1

1MBI300JN120 数据手册

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