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1C5804

更新时间： 2024-02-23 00:12:09

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SENSITRON		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	37K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, DIE-2

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1C5804 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	DIE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.72
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	S-XXUC-N2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.025 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1C5804 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

1C5804

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 2022, REV. -

ULTRA FAST RECOVERY

SILICON RECTIFIER DIE

Maximum Ratings:

Characteristics

Symbol

V_RWM

I_F(AV)

Condition

Max.

100

1.0

Units

mil

°C

Peak Inverse Voltage

Max. Average Forward Current

Die Size

Max. Junction Temperature

Max. Storage Temperature

@ 55°C

T_J

T_stg

-55 to +175

Electrical Characteristics:

Characteristics

Symbol

Condition

@ 1.0A, Pulse, T_J= 25 °C

Duty cycle ≤ 2%, pulse width ≤

300µs

Max.

0.875

Units

Max. Forward Voltage Drop

V_F1

Max. Reverse Current

Reverse Recovery Time

I_R1

I_R2

t_rr

@V_R= 100V, Pulse,

T_J= 25 °C

@V_R= 100V, Pulse,

T_J= 100 °C

I_f= 500mA, I_r= 500mA, I_rm

1.0

µA

50mA

Mechanical Dimensions: In Inches (mm)

Bottom side metalization: Ti/Ni/Ag - 30 kÅ minimum.

Top side metalization: Al - 25 kÅ minimum

Bottom side is cathode, top side is anode.

0.049 ± 0.003

0.065 ± 0.003

ANODE

(1.245 ± 0.076) (1.651 ± 0.076)

Anode

0.009 ± 0.001 (0.229 ± 0.025)

Cathode

• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 •

• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •

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