1C5806AG

更新时间： 2024-01-20 21:12:09

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SENSITRON		超快恢复二极管快速恢复二极管
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1C5806AG 数据手册

1C5806

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 930, REV. C

ULTRA FAST RECOVERY

SILICON RECTIFIER DIE

Maximum Ratings:

Characteristics

Symbol

V_RWM

V_R

Condition

Max.

Units

Peak Inverse Voltage

DC Blocking Voltage

Breakdown Voltage

150

V_BR

Max. Average Forward Current

I_F(AV)

I_FSM

1.0

@ 55°C

8.3 ms, sine pulse ⁽¹⁾

Max. Peak One Cycle Non-

Repetitive Surge Current

Die Size

Max. Junction Temperature

Max. Storage Temperature

T_J

T_stg

mil

°C

-55 to +175

Electrical Characteristics:

Characteristics

Symbol

V_F1

V_F2

V_F3

I_R1

Condition

1A, pulse, T_J= 25 °C

Max.

0.875

0.975

0.800

1.0

Units

Max. Forward Voltage Drop

2.5A, pulse, T_J= 25 °C

1A, pulse, T_J= 100 °C

V_R= V_RWM, pulse, T_J= 25 °C

V_R= V_RWM, pulse, T_J= 100 °C

I_F= I_R= 0.5A , I_RM= 0.05A

V_R= 10V, T_C= 25 °C

Max. Reverse Current

µA

I_R2

t_rr

C_T

Reverse Recovery Time

Max. Junction Capacitance

_SIG= 1MHz,

V_SIG= 50mV (p-p)

• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 •

• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •

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