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1SS196

更新时间： 2024-01-01 00:17:11

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KISEMICONDUCTOR		二极管
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1页	60K
描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

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1SS196 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1SS196 数据手册

KI SEMICONDUCTOR CO.

SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

1SS196

SWITCHING DIODE

FEATURES

SOT-23

Power dissipation

P_D

150 mW(Tamb=25℃)

Forward Current

I_F

100 m A

2. 4

1. 3

Reverse Voltage

V_R:

Operating and storage junction temperature range

T_J,T_stg: -55℃ to +150℃

Unit: mm

Marking G3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

V_(BR)

I_R

Test conditions

I_R= 100µA

MIN

MAX

UNIT

Parameter

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage

leakage current

V_R=80V

0.5

1.2

µA

Forward

Diode

voltage

V_F

C_D

t _{r r}

I_F=100mA

capacitance

V_R=0V

f=1MHz

Reverse recovery time

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS196(TE85L,F)	TOSHIBA	RECTIFIER DIODE,85V V(RRM),SOT-23	获取价格
1SS196_07	TOSHIBA	Ultra High Speed Switching Application	获取价格
1SS196_13	MCC	150mW Switching Diodes	获取价格
1SS196-T	RECTRON	暂无描述	获取价格
1SS196TE85R2	TOSHIBA	DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	获取价格
1SS196-TP	MCC	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格