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1SS181

更新时间： 2024-02-08 20:25:28

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KISEMICONDUCTOR		二极管
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描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

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1SS181 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.65	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.05 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1SS181 数据手册

KI SEMICONDUCTOR CO.

SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

1SS181

SWITCHING DIODE

FEATURES

SOT-23

Power dissipation

P_D

150 mW(Tamb=25℃)

Forward Current

I_F

100 m A

2. 4

1. 3

Reverse Voltage

V_R:

Operating and storage junction temperature range

T_J,T_stg: -55℃ to +150℃

Unit: mm

Marking A3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

V_(BR)

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

Parameter

Reverse breakdown voltage

I_R= 100µA

I_R

V_R=80V

0.5

1.2

Reverse voltage leakage current

Forward voltage

µA

V_F

I_F=100mA

C_D

t _{r r}

V_R=0V

f=1MHz

Diode capacitance

Reverse recovery time

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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1SS181(T5RMAA,F)	TOSHIBA	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon	获取价格