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1N6089BE3

更新时间: 2024-11-19 19:50:39
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
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1页 93K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN

1N6089BE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.71
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-XALF-W2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
标称参考电压:8.2 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:5%
工作测试电流:1 mABase Number Matches:1

1N6089BE3 数据手册

  

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