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1N6089BTR

更新时间: 2024-11-19 14:31:55
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1页 30K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

1N6089BTR 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.28
Is Samacsys:N其他特性:LOW VOLTAGE AVALANCHE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:8.2 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6089BTR 数据手册

  

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