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1N4148W-E3-18

更新时间： 2024-02-13 08:06:28

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威世 - VISHAY		开关测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	95K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

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1N4148W-E3-18 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SOD-123, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
Factory Lead Time：	10 weeks	风险等级：	0.6
其他特性：	FAST SWITCHING DIODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	0.5 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.35 W	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	100 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
反向测试电压：	100 V	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

1N4148W-E3-18 数据手册

1N4148W

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

I_F= 10 mA

V_F

I_R

Forward voltage

I_F= 100 mA

1.2

_R= 20 V

_R= 75 V

μA

I_R

Leakage current

_R= 100 V

I_R

100

_R= 20 V, T_J= 150 °C

I_R

Diode capacitance

V_F= V_R= 0 V

C_D

Tested with 50 mA pulses,

t_p= 0.1 μs, rise time < 30 ns,

f_p= (5 to 100) kHz

Voltage rise when switching ON

V_fr

t_rr

2.5

I_F= 10 mA, i_R= 1 mA, V_R= 6 V,

Reverse recovery time

R_L= 100 



TYPICAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

10³

500

450

10²

400

T_j= 100 °C

T_j= 25 °C

350

300

250

200

150

100

10^-1

10^-2

100

150

T_amb- Ambient Temperature (°C)

20809

17437

_F(V)

Fig. 1 - Forward Characteristics

Fig. 3 - Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature

10⁴

T_j= 25 °C

f = 1 MHz

T_j= 25 °C

f = 1 kHz

1.1

10³

1.0

0.9

0.8

0.7

10²

10^-2

10^-1

10²

V_R(V)

17440

17438

I_F(mA)

Fig. 2 - Dynamic Forward Resistance vs. Forward Current

Fig. 4 - Relative Capacitance vs. Reverse Voltage

Rev. 1.7, 08-May-13

Document Number: 85748

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