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19N10G-TQ2-T

更新时间： 2024-01-17 19:47:53

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100V N-Channel MOSFET

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19N10G-TQ2-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
雪崩能效等级（Eas）：	220 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	15.6 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	62.4 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

19N10G-TQ2-T 数据手册

19N10

Power MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Cont.)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

SWITCHING PARAMETERS

Total Gate Charge

Q_G

Q_GS

Q_GD

t_D(ON)

t_R

3.9

9.0

7.5

150

_DS=80V, I_D=19A, V_GS=10V

Gate Source Charge

Gate Drain Charge

(Note 1, 2)

Turn-ON Delay Time

Turn-ON Rise Time

Turn-OFF Delay Time

Turn-OFF Fall-Time

310

V_DD=50V, I_D=19A, R_G=25ꢀ

(Note 1, 2)

t_D(OFF)

t_F

140

SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

Diode Forward Voltage

V_SD

I_S

V_GS=0V, I_S=15.6A

1.5

Maximum Body-Diode Continuous Current

Maximum Pulsed Drain-Source Diode

Forward Current

15.6

I_SM

62.4

Body Diode Reverse Recovery Time

Body Diode Reverse Recovery Charge

t_RR

_GS= 0V, I_S=19A,

dI_F/dt=100A/μs (Note 1)

Q_RR

200

Note: 1. Pulse Test : Pulse width ≤300µs, Duty cycle≤ 2%

Note: 2. Essentially independent of operating temperature

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

www.unisonic.com.tw

3 of 6

QW-R502-261.D

1 234 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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