16RIA100LPBF

更新时间： 2024-02-02 04:20:12

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威世 - VISHAY		栅极
页数	文件大小	规格书
8页	152K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 25.12A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AA

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16RIA100LPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-48
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	60 mA	JEDEC-95代码：	TO-208AA
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	35 A	断态重复峰值电压：	1000 V
重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

16RIA100LPBF 数据手册

16RIA Series

Medium Power Thyristors

(Stud Version), 16 A

Vishay High Power Products

SWITCHING

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

200

UNITS

V_DRM≤ 600 V

V_DRM≤ 800 V

V_DRM≤ 1000 V

V_DRM≤ 1600 V

T_J= T_Jmaximum, V_DM= Rated V_DRM

Gate pulse = 20 V, 15 Ω, t_p= 6 µs, t_r= 0.1 µs maximum

_TM= (2 x rated dI/dt) A

180

Maximum rate of rise

of turned-on current

dI/dt

A/µs

160

150

T_J= 25 °C,

at rated V_DRM/V_RRM, T_J= 125 °C

Typical turn-on time

t_gt

t_rr

0.9

T_J= T_Jmaximum,

I_TM= I_T(AV), t_p> 200 µs, dI/dt = - 10 A/µs

Typical reverse recovery time

Typical turn-off time

µs

T_J= T_Jmaximum, I_TM= I_T(AV), t_p> 200 µs, V_R= 100 V,

dI/dt = - 10 A/µs, dV/dt = 20 V/µs linear to 67 % V_DRM

gate bias 0 V to 100 W

t_q

110

Note

• t_q= 10 µs up to 600 V, t_q= 30 µs up to 1600 V available on special request

BLOCKING

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

100

UNITS

T_J= T_Jmaximum linear to 100 % rated V_DRM

T_J= T_Jmaximum linear to 67 % rated V_DRM

Maximum critical rate of rise

of off-state voltage

dV/dt

V/µs

300 ⁽¹⁾

Note

(1)

Available with: dV/dt = 1000 V/µs, to complete code add S90 i.e. 16RIA120S90

TRIGGERING

PARAMETER

SYMBOL

P_GM

TEST CONDITIONS

VALUES

8.0

UNITS

Maximum peak gate power

Maximum average gate power

Maximum peak positive gate current

Maximum peak negative gate voltage

T_J= T_Jmaximum

P_G(AV)

I_GM

2.0

T_J= T_Jmaximum

T_J= - 65 °C

1.5

-V_GM

Maximum required gate trigger

current/voltage are the lowest

value which will trigger all units

6 V anode to cathode applied

DC gate current required to trigger

I_GT

T_J= 25 °C

T_J= 125 °C

T_J= - 65 °C

T_J= 25 °C

T_J= 125 °C

3.0

2.0

1.0

2.0

DC gate voltage required to trigger

DC gate current not to trigger

V_GT

I_GD

T_J= T_Jmaximum, V_DRM= Rated value

Maximum gate current/voltage

not to trigger is the maximum

value which will not trigger any

unit with rated V_DRManode to

cathode applied

T_J= T_Jmaximum,

_DRM= Rated value

DC gate voltage not to trigger

V_GD

0.2

Document Number: 93695

Revision: 19-Sep-08

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

www.vishay.com

1 234 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
16RIA100M	INFINEON	MEDIUM POWER THYRISTORS	获取价格
16RIA100M	VISHAY	Medium Power Thyristors (Stud Version), 16 A	获取价格
16RIA100MPBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AA	获取价格
16RIA100MS90	VISHAY	Medium Power Thyristors (Stud Version), 16 A	获取价格
16RIA100MS90	INFINEON	MEDIUM POWER THYRISTORS	获取价格
16RIA100MS90PBF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AA	获取价格

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