16RIA100LPBF

更新时间： 2024-01-01 18:59:26

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威世 - VISHAY		栅极
页数	文件大小	规格书
8页	152K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 25.12A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AA

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16RIA100LPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-48
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	60 mA	JEDEC-95代码：	TO-208AA
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	35 A	断态重复峰值电压：	1000 V
重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

16RIA100LPBF 数据手册

16RIA Series

Medium Power Thyristors

(Stud Version), 16 A

Vishay High Power Products

180°

120°

90°

60°

30°

RMS Limit

Conduction Angle

16RIA Series

T = 125°C

205

100

125

Average On-state Current (A)

Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)

Fig. 3 - On-State Power Loss Characteristics

180°

120°

90°

60°

30°

RMS Limit

Conduction Period

16RIA Series

T = 125°C

12 16 20 24 208

100

125

Average On-state Current (A)

Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)

Fig. 4 - On-State Power Loss Characteristics

350

325

300

275

250

225

200

175

150

125

300

280

260

240

220

200

180

160

140

Maximum Non Repetitive Surge Current

Versus Pulse Train Duration. Control

Of Conduction May Not Be Maintained.

At Any Rated Load Condition And With

Rated V

Applied Following Surge.

RRM

Initial T = 125°C

@60 Hz 0.0083 s

@50 Hz 0.0100 s

No Voltage Reapplied

Rated V

Reapplied

RRM

16RIA Series

0.01

0.1

Pulse Train Duration (s)

100

Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)

Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current

Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current

Document Number: 93695

Revision: 19-Sep-08

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

www.vishay.com

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