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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 16F60
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16F60

更新时间： 2024-01-10 08:46:01
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 74K
描述
STANDARD RECOVERY DIODES

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16F60 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-4
包装说明：ROHS COMPLIANT, DO-4, 1 PIN针数：1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.55
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-203AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流：370 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最大输出电流：16 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified参考标准：CECC50009-037
最大重复峰值反向电压：600 V表面贴装：NO
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

16F60 数据手册

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16F(R) Series  
Bulletin I20204 rev. A 09/98  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
Voltage Ratings  
Voltage  
Code  
VRRM, maximum  
VRSM, maximum non-  
VR(BR), minimum  
IRRM max.  
Type number  
repetitive peak  
reverse voltage  
V
repetitive peak  
reverse voltage  
V
avalanche  
voltage  
@ TJ = 175°C  
V
(1)  
mA  
10  
20  
100  
200  
150  
275  
--  
--  
40  
400  
500  
500  
750  
950  
1150  
1350  
16F(R)  
60  
600  
725  
12  
80  
800  
950  
100  
120  
1000  
1200  
1200  
1400  
(1) Avalanche version only available from VRRM 400V to 1200V.  
Forward Conduction  
Parameter  
16F(R)  
Units Conditions  
IF(AV) Max. average forward current  
@ Case temperature  
16  
140  
25  
A
°C  
A
180° conduction, half sine wave  
IF(RMS) Max. RMS forward current  
PR  
Maximum non-repetitive  
peak reverse power  
15  
K/W 10µs square pulse, TJ = TJ max.  
see note (2)  
IFSM  
Max. peak, one-cycle forward,  
350  
370  
295  
310  
612  
560  
435  
395  
6120  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
No voltage  
reapplied  
non-repetitive surge current  
A
100% VRRM  
reapplied  
Sinusoidal half wave,  
Initial TJ = TJ max.  
I2t  
Maximum I2t for fusing  
No voltage  
reapplied  
A2s  
100% VRRM  
reapplied  
I2√t  
Maximum I2√t for fusing  
A2√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied  
VF(TO)1 Low level value of threshold  
0.77  
0.90  
7.80  
(16.7% x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.  
voltage  
V
VF(TO)2 High level value of threshold  
voltage  
(I > π x IF(AV)), TJ = TJ max.  
r
Low level value of forward  
slope resistance  
1
f
(16.7% x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.  
mΩ  
r
High level value of forward  
slope resistance  
2
f
5.70  
1.23  
(I > π x IF(AV)), TJ = TJ max.  
VFM  
Max. forward voltage drop  
V
I = 50A, TJ = 25°C, t = 400µs rectangular wave  
pk p  
(2) Available only for Avalanche version, all other parameters the same as 16F.  
2
www.irf.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
16F-60 TRSYS

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 		STANDARD RECOVERY DIODE
16F60M VISHAY

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 		Standard Recovery Diodes (Stud Version), 6 A
16F60MPBF VISHAY

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 		暂无描述
16F60MPBF INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, ROHS COMPLIANT,
16F60MS02 INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
16F60MS02PBF INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
16F60MS05 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
16F60PBF INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, ROHS COMPLIANT,
16F60S02 VISHAY

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