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16F120MPBF

更新时间： 2024-01-18 13:54:40

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英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	157K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, ROHS COMPLIANT, DO-4, 1 PIN

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16F120MPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-4
包装说明：	O-MUPM-D1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.44	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.23 V	JEDEC-95代码：	DO-203AA
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	最大非重复峰值正向电流：	370 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	16 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

16F120MPBF 数据手册

16F(R) Series

Bulletin I20204 rev. B 01/05

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

Voltage Ratings

Voltage

Code

V_RRM, maximum

V_RSM, maximum non-

V_R(BR), minimum

I_RRMmax.

@ T_J= 175°C

Type number

repetitive peak

reverse voltage

repetitive peak

reverse voltage

avalanche

voltage

(1)

100

200

150

275

100

120

400

600

800

1000

1200

500

725

950

1200

1400

500

750

950

1150

1350

16F(R)

(1) Avalanche version only available from V_RRM400V to 1200V.

Forward Conduction

Parameter

16F(R)

Units Conditions

I_F(AV)Max. average forward current

@ Case temperature

I_F(RMS)Max. RMS forward current

140

°C

180° conduction, half sine wave

P_R

Maximum non-repetitive

peak reverse power

K/W 10µs square pulse, T_J= T_Jmax.

see note (2)

I_FSM

Max. peak, one-cycle forward,

350

370

295

310

612

560

435

395

6120

t = 10ms

t = 8.3ms

t = 10ms

t = 8.3ms

t = 10ms

t = 8.3ms

t = 10ms

t = 8.3ms

No voltage

reapplied

non-repetitive surge current

100% V_RRM

reapplied

Sinusoidal half wave,

I²t

Maximum I²t for fusing

No voltage

reapplied

100% V_RRM

reapplied

Initial T = T_Jmax.

A²s

I²√t

Maximum I²√t for fusing

A²√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied

V_F(TO)1Low level value of threshold

0.77

0.90

7.80

(16.7% x π x I_F(AV)< I < π x I_F(AV)), T_J= T_Jmax.

voltage

V_F(TO)2High level value of threshold

voltage

(I > π x I_F(AV)), T_J= T_Jmax.

r ₁

Low level value of forward

slope resistance

(16.7% x π x I_F(AV)< I < π x I_F(AV)), T_J= T_Jmax.

mΩ

r ₂

High level value of forward

slope resistance

5.70

1.23

(I > π x I_F(AV)), T_J= T_Jmax.

V_FM

Max. forward voltage drop

I = 50A, T_J= 25°C, t = 400µs rectangular wave

pk p

(2) Available only for Avalanche version, all other parameters the same as 16F.

www.irf.com

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与16F120MPBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
16F120PBF	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, ROHS COMPLIANT,	获取价格
16F140	NAINA	Standard Recovery Diodes (Stud Version)	获取价格
16F160	NAINA	Standard Recovery Diodes (Stud Version)	获取价格
16F20	VISHAY	Standard Recovery Diodes (Stud Version), 16 A	获取价格
16F20	INFINEON	STANDARD RECOVERY DIODES	获取价格
16F20	NAINA	Standard Recovery Diodes (Stud Version)	获取价格