16F10MPBF

更新时间： 2024-01-14 18:11:31

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	141K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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16F10MPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-4
包装说明：	O-MUPM-D1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.54
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.23 V
JEDEC-95代码：	DO-203AA	JESD-30 代码：	O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：	370 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最大输出电流：	16 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	CECC50009-037	最大重复峰值反向电压：	100 V
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

16F10MPBF 数据手册

16F(R) Series

Standard Recovery Diodes

(Stud Version), 16 A

Vishay High Power Products

FORWARD CONDUCTION

PARAMETER

SYMBOL

I_F(AV)

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum average forward current

at case temperature

180° conduction, half sine wave

140

°C

Maximum RMS forward current

I_F(RMS)

Maximum on-repetitive peak

reverse power

(1)

P_R

10 µs square pulse, T_J= T_Jmaximum

K/W

t = 10 ms

t = 8.3 ms

t = 10 ms

350

370

295

No voltage

reapplied

Maximum peak, one-cycle forward,

non-repetitive surge current

I_FSM

100 % V_RRM

reapplied

t = 8.3 ms

t = 10 ms

t = 8.3 ms

t = 10 ms

t = 8.3 ms

310

612

Sinusoidal half wave,

initial T_J= T_Jmaximum

No voltage

reapplied

560

Maximum I²t for fusing

I²t

A²s

435

100 % V_RRM

reapplied

395

Maximum I²√t for fusing

I²√t

t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied

(16.7 % x π x I_F(AV)< I < π x I_F(AV)), T_J= T_Jmaximum

(I > π x I_F(AV)), T_J= T_Jmaximum

6120

0.77

0.90

A²√s

Low level value of threshold voltage

High level value of threshold voltage

V_F(TO)1

V_F(TO)2

Low level value of forward

slope resistance

r_f1

(16.7 % x π x I_F(AV)< I < π x I_F(AV)), T_J= T_Jmaximum

7.80

mΩ

High level value of forward

slope resistance

r_f2

(I > π x I_F(AV)), T_J= T_Jmaximum

5.70

1.23

Maximum forward voltage drop

V_FM

I_pk= 50 A, T_J= 25 °C, t_p= 400 µs rectangular wave

Note

(1)

Available only for avalanche version, all other parameters the same as 16F

THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

- 65 to 175

- 65 to 200

1.6

UNITS

Maximum junction operating

temperature range

T_J

°C

Maximum storage temperature range

T_Stg

Maximum thermal resistance,

junction to case

R_thJC

DC operation

K/W

Maximum thermal resistance,

case to heatsink

R_thCS

Mounting surface, smooth, flat and greased

Not lubricated threads

0.5

1.5 ^{+ 0 - 10 %}

(13)

N · m

(lbf · in)

Allowable mounting torque

1.2 ^{+ 0 - 10 %}

(10)

N · m

(lbf · in)

Lubricated threads

Approximate weight

Case style

0.25

oz.

See dimensions - link at the end of datasheet

DO-203AA (DO-4)

www.vishay.com

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

Document Number: 93491

Revision: 29-Sep-08

123 4 5 6

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与16F10MPBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
16F10MS02	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN	获取价格
16F10MS02PBF	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN	获取价格
16F10MS05	VISHAY	暂无描述	获取价格
16F10MS05PBF	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN	获取价格
16F10PBF	VISHAY	暂无描述	获取价格
16F10S02	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN	获取价格

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