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15KP33C-5R

更新时间: 2023-02-26 15:37:23
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 84K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

15KP33C-5R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PBCY-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.61最大击穿电压:44.9 V
最小击穿电压:36.7 V最大钳位电压:60.6 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PBCY-W2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:15000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:7 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:33 V最大反向电流:10 µA
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

15KP33C-5R 数据手册

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