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130MT100KB

更新时间: 2024-02-17 13:59:36
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页数 文件大小 规格书
7页 98K
描述
THREE PHASE BRIDGE

130MT100KB 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-XUFM-X6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80Factory Lead Time:18 weeks
风险等级:5.72其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.63 VJESD-30 代码:R-XUFM-X6
最大非重复峰值正向电流:1180 A元件数量:6
相数:3端子数量:6
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:160 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

130MT100KB 数据手册

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130-160MT..KB Series  
Bulletin I27502 rev. A 05/03  
Outline Table (with optional barriers)  
D
A
B
C
E
F
All dimensions in millimeters (inches)  
1000  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
130MT..KB Series  
100  
10  
1
120°  
(Rect)  
T
= 25°C  
J
T
= 150°C  
J
80  
70  
130MT..KB Series  
Per Junction  
60  
50  
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180  
Total Output Current (A)  
0
1
2
3
4
5
Instantaneous Forward Voltage (V)  
Fig. 1 - Current Ratings Characteristics  
Fig. 2 - Forward Voltage Drop Characteristics  
4
www.irf.com  

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