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| 京瓷/艾维克斯 - KYOCERA AVX |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 7页 | 835K |  |
| 描述 | ||
| Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between s | ||
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 11EQS10_15 | NI | SBD |
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| 11EQS10_2015 | NI | SBD |
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| 11EQS10TA1B2 | NIEC | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon |
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| 11EQS10TA2B5 | NIEC | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon |
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| 11ES1 | EIC | SILICON RECTIFIER DIODES |
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| 11ES1TA2B5 | NIEC | Rectifier Diode, 1 Element, 0.98A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2 |
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