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11EQS10

更新时间： 2024-02-20 21:55:24

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森美特 - SUNMATE		二极管
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2页	1503K
描述
1A Plug-in Schottky diode 100V R-1 series

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11EQS10 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MINIATURE PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.85 V	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	40 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

11EQS10 数据手册

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES 11EQS03 THRU 11EQS10

FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE

FIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD

SURGE CURRENT

0.8

0.6

0.4

0.2

Single Phase

Half Wave 60Hz

Resistive or

inductive Load

11EQS03-11EQS04

11EQS06-11EQS10

8.3ms SINGLE HALF SINE-WAVE

(JEDEC Method)

100

125

150

175

100

AMBIENT TEMPERATURE, C

NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD

CHARACTERISTICS

1,000

100

TJ=100 C

TJ=75 C

0.1

TJ=25 C

PULSE WIDTH=300 ms

1%DUTY CYCLE

11EQS03-11DQS04

11EQS06

11EQS10

TJ=25 C

0.1

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0 1.1

100

INSTANTANEOUS FORWARD VOLEAGE,

VOLTS

PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%

FIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE

FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

100

2000

1000

11EQS03-11EQS04

11EQS06-11EQS10

100

TJ=25 C

0.1

0.01

0.1

100

0.1

1.0

100

REVERSE VOLTAGE,VOLTS

t,PULSE DURATION,sec.

2 of 2

www.sunmate.tw

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
11EQS10_15	NI	SBD	获取价格
11EQS10_2015	NI	SBD	获取价格
11EQS10TA1B2	NIEC	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon	获取价格
11EQS10TA2B5	NIEC	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon	获取价格
11ES1	EIC	SILICON RECTIFIER DIODES	获取价格
11ES1TA2B5	NIEC	Rectifier Diode, 1 Element, 0.98A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2	获取价格