生命周期: | Transferred | 包装说明: | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.73 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 0.8 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向恢复时间: | 0.03 µs | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
11EFS2TA2B5 | NIEC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 200V V(RRM), Silicon, |
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11EFS3 | NIEC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 300V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2 |
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11EFS3TA1B2 | NIEC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 300V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2 |
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11EFS3TA2B5 | NIEC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 300V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2 |
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11EFS4 | NIEC |
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FRD |
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11EFS4 | KYOCERA AVX |
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Fast recovery diodes are PN junction diodes with the same structure and function as genera |
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11EFS4_15 | NI |
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FRED |
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11EFS4_2015 | NI |
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FRED |
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11EFS4TA1B2 | NIEC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 400V V(RRM), Silicon, |
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11EFS4TA2B5 | NIEC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 400V V(RRM), Silicon, |
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