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11DQ05TRPBF

更新时间： 2024-02-09 00:56:27

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英飞凌 - INFINEON		/
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5页	85K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

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11DQ05TRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.51
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.53 V	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	1.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	50 V	最大反向电流：	11000 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

11DQ05TRPBF 数据手册

11DQ05, 11DQ06

Bulletin PD-2.288 rev. F 11/04

160

140

120

100

0.8

0.6

0.4

0.2

D = 0.20

D = 0.25

D = 0.33

D = 0.50

D = 0.75

RMS Limit

Square wave (D = 0.50)

80% Rated Vr applied

see note (2)

0.2 0.4 0.6 0.8

1.2 1.4 1.6

0.2 0.4 0.6 0.8

1.2 1.4 1.6

Average Forward Current - I_F(AV)(A)

Fig. 4-Maximum Ambient TemperatureVs. Average Forward

Current, Printed Circuit Board Mounted

Fig. 5-Forward Power Loss Characteristics

1000

At Any Rated Load Condition

And With Rated Vrrm Applied

Following Surge

100

1000

10000

Square Wave Pulse Duration - t_p(microsec)

Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current

(2) Formulaused:T_C=T_J-(Pd+Pd_REV)xR_thJC

;

Pd=ForwardPowerLoss=I_F(AV)xV_FM@(I_F(AV)/D) (seeFig.6);

Pd_REV=InversePowerLoss=V_R1xI_R(1-D); I_R@V_R1=80%ratedV_R

www.irf.com

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