5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.12 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | UL APPROVED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | 3 PHASE BRIDGE | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X14 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 14 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 断态重复峰值电压： | 1600 V | 重复峰值反向电压： | 1600 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 113MT160KBS90 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 6 Element |
|
| 113MT160KBS90 | INFINEON |
获取价格 |
THREE PHASE CONTROLLED BRIDGE |
|
| 113MT160KBS90PBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 6 Element |
|
| 113MT160KPBF | VISHAY |
获取价格 |
Three Phase Controlled Bridge (Power Modules), 55 A to 110 A |
|
| 113MT160KS90PBF | VISHAY |
获取价格 |
Three Phase Controlled Bridge (Power Modules), 55 A to 110 A |
|
| 113MT80K | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 6 Element |
|
| 113MT80KB | INFINEON |
获取价格 |
THREE PHASE CONTROLLED BRIDGE |
|
| 113MT80KBPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 113MT80KBPBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 6 Element |
|
| 113MT80KBS90 | INFINEON |
获取价格 |
THREE PHASE CONTROLLED BRIDGE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
