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111RIA120S90PBF

更新时间： 2024-01-24 20:34:32

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		栅栅极
页数	文件大小	规格书
8页	106K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, METAL GLASS, TO-94, 3 PIN

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111RIA120S90PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-94
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.12	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	120 mA	JEDEC-95代码：	TO-209AC
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	172 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

111RIA120S90PBF 数据手册

Bulletin I25204 01/01

111RIA SERIES

PHASE CONTROL THYRISTORS

Stud Version

Features

High current and high surge ratings

dv/dt = 1000V/µs option

Glass-metal seal up to 1200V

Threaded studs UNF 1/2"-20UNF-2A

Types up to 1200V V_RRM/V_DRM

di/dt = 300A/µs

110A

Typical Applications

DC motor controls

Controlled DC power supplies

AC controllers

Major Ratings and Characteristics

Parameters

I_T(AV)

111RIA

110

Units

@ T_C

°C

I_T(RMS)

I_TSM

172

@50Hz

@ 60Hz

@50Hz

@ 60Hz

2080

2180

21.7

19.8

I²t

KA²s

V_DRM/V_RRM

400 to 1200

110

case style

typical

µs

TO-209AC (TO-94)

T_J

- 40 to 140

°C

www.irf.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
111RIA20	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 110000mA I(T), 200V V(DRM)	获取价格
111RIA20M	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 110000mA I(T), 200V V(DRM)	获取价格
111RIA40	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 110000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Ele	获取价格
111RIA40S90	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC,	获取价格
111RIA80	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 172 A, 800 V, SCR, TO-209AC, METAL GLASS, TO-94, 3 PIN	获取价格
111RIA80	INFINEON	PHASE CONTROL THYRISTORS	获取价格