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1110IBZ

更新时间： 2024-02-10 11:34:22

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英特矽尔 - INTERSIL		/
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9页	185K
描述
750MHz, Low Distortion Unity Gain, Closed Loop Buffer

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技术参数
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1110IBZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-XDIP-W4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.56	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.7 V	JESD-30 代码：	R-XDIP-W4
最大非重复峰值正向电流：	25 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1.4 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	0.07 µs
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1110IBZ 数据手册

HFA1110

Typical Performance Curves

= ±5V, T = 25°C, R = 100Ω, Unless Otherwise Specified

SUPPLY

120

1.2

0.8

0.4

-40

-80

-120

-0.4

-0.8

-1.2

TIME (5ns/DIV)

FIGURE 1. SMALL SIGNAL PULSE RESPONSE

FIGURE 2. LARGE SIGNAL PULSE RESPONSE

GAIN

OUT

= 1kΩ

= 200mV

P-P

= 100Ω

= 1V

P-P

-1

-2

-3

-4

-45

= 50Ω

-3

-6

-90

-135

-180

PHASE

= 200mV

-90

-180

-5

-6

-225

-270

OUT

P-P

-270

-360

-7

-8

= 1kΩ

10M

100M

200M

400M

600M

800M

FREQUENCY (Hz)

FIGURE 3. FREQUENCY RESPONSE

FIGURE 4. FREQUENCY RESPONSE FOR VARIOUS LOAD

RESISTORS

890

870

850

830

810

790

770

750

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

= 200mV

P-P

OUT

= 2.5V

P-P

= 4V

P-P

730

710

-50 -30 -10

110 130

10M

FREQUENCY (Hz)

100M

TEMPERATURE (°C)

FIGURE5. FREQUENCYRESPONSEFORVARIOUSOUTPUT

VOLTAGES

FIGURE 6. -3dB BANDWIDTH vs TEMPERATURE

FN2944.8

June 6, 2006

1 2 345 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1110R0M35000AC	MICROSEMI	TTL Output Clock Oscillator, 0.35MHz Nom, PLASTIC, FLAT PACKAGE-20	获取价格
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