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1110IBZ

更新时间： 2024-02-13 14:31:54
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL /
页数 文件大小 规格书
9页 185K
描述
750MHz, Low Distortion Unity Gain, Closed Loop Buffer

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1110IBZ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-XDIP-W4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.56配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJESD-30 代码：R-XDIP-W4
最大非重复峰值正向电流：25 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最大输出电流：1.4 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.07 µs
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1110IBZ 数据手册

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HFA1110  
Absolute Maximum Ratings  
Thermal Information  
Voltage Between V+ and V-. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12V  
DC Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA  
Thermal Resistance (Typical, Note 1)  
θ
(°C/W)  
158  
JA  
SUPPLY  
SOIC Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Maximum Junction Temperature (Plastic Package) . . . . . . . . 150°C  
Maximum Storage Temperature Range. . . . . . . . . . -65°C to 150°C  
Maximum Lead Temperature (Soldering 10s) . . . . . . . . . . . . 300°C  
(SOIC - Lead Tips Only)  
Operating Conditions  
Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40°C to 85°C  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
NOTE:  
1. θ is measured with the component mounted on an evaluation PC board in free air.  
JA  
Electrical Specifications  
PARAMETER  
V
= ±5V, R = 100Ω, Unless Otherwise Specified  
SUPPLY L  
TEST CONDITIONS  
TEMP (°C)  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
INPUT CHARACTERISTICS  
Output Offset Voltage (Note 2)  
25  
Full  
Full  
25  
-
-
8
-
25  
35  
-
mV  
mV  
Output Offset Voltage Drift  
PSRR  
-
10  
45  
-
µV/°C  
dB  
39  
35  
-
-
Full  
25  
-
dB  
Input Noise Voltage (Note 2)  
Input Noise Current (Note 2)  
Input Bias Current (Note 2)  
100kHz  
100kHz  
14  
51  
10  
-
-
nV/√Hz  
pA/√Hz  
µA  
25  
-
-
25  
-
40  
65  
-
Full  
25  
-
µA  
Input Resistance  
25  
-
50  
2
kΩ  
Input Capacitance  
TRANSFER CHARACTERISTICS  
Gain  
25  
-
pF  
V
= 2V  
25  
Full  
25  
0.980  
0.975  
-
0.990  
-
1.02  
1.025  
-
V/V  
V/V  
%
OUT  
P-P  
DC Non-Linearity (Note 2)  
OUTPUT CHARACTERISTICS  
Output Voltage (Note 2)  
±2V Full Scale  
0.003  
25  
Full  
3.0  
2.5  
50  
3.3  
3.0  
60  
-
-
-
-
±V  
±V  
Output Current (Note 2)  
R
= 50Ω  
25, 85  
-40  
mA  
mA  
L
35  
50  
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS  
Supply Voltage Range  
Full  
25  
4.5  
-
21  
-
5.5  
26  
33  
±V  
mA  
mA  
Supply Current (Note 2)  
-
-
Full  
AC CHARACTERISTICS  
-3dB Bandwidth (Note 2)  
Slew Rate  
V
V
V
= 0.2V  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
750  
1300  
150  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MHz  
V/µs  
MHz  
dB  
OUT  
OUT  
OUT  
P-P  
= 5V  
= 4V  
P-P  
P-P  
Full Power Bandwidth (Note 2)  
Gain Flatness (Note 2)  
To 100MHz  
To 30MHz  
±0.03  
±0.01  
±0.3  
-60  
dB  
Linear Phase Deviation (Note 2)  
2nd Harmonic Distortion (Note 2)  
3rd Harmonic Distortion (Note 2)  
3rd Order Intercept (Note 2)  
DC to 100MHz  
°
50MHz, V  
50MHz, V  
100MHz  
= 2V  
= 2V  
dBc  
dBc  
dBm  
OUT  
OUT  
P-P  
P-P  
-80  
30  
FN2944.8  
June 6, 2006  
2
1234567...9

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