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1110IBZ

更新时间: 2024-02-04 20:42:20
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL /
页数 文件大小 规格书
9页 185K
描述
750MHz, Low Distortion Unity Gain, Closed Loop Buffer

1110IBZ 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-XDIP-W4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.56配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.7 VJESD-30 代码:R-XDIP-W4
最大非重复峰值正向电流:25 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1.4 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向恢复时间:0.07 µs
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

1110IBZ 数据手册

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HFA1110  
Typical Performance Curves  
V
= ±5V, T = 25°C, R = 100Ω, Unless Otherwise Specified (Continued)  
SUPPLY  
A
L
32  
30  
28  
26  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
10  
9.8  
9.6  
9.4  
9.2  
9
8.8  
8.6  
8.4  
8.2  
8
6
4
-60  
7.8  
-60  
-40  
-20  
0
20  
40  
60  
80  
100 120  
-40  
-20  
0
20  
40  
60  
80  
100 120  
TEMPERATURE (°C)  
TEMPERATURE (°C)  
FIGURE 19. BIAS CURRENT vs TEMPERATURE  
FIGURE 20. OFFSET VOLTAGE vs TEMPERATURE  
3.8  
100  
80  
60  
40  
20  
0
200  
3.7  
3.6  
3.5  
3.4  
3.3  
3.2  
3.1  
3
160  
120  
80  
+V  
(R = 100)  
L
OUT  
+V  
(R = 50)  
OUT  
L
|-V  
|(R = 100)  
L
OUT  
|-V  
OUT  
|(R = 50)  
L
I
NI  
40  
2.9  
E
NI  
2.8  
-60  
0
-40  
-20  
0
20  
40  
60  
80  
100 120  
100  
1k  
10k  
100k  
TEMPERATURE (°C)  
FREQUENCY (Hz)  
FIGURE 21. OUTPUT VOLTAGE vs TEMPERATURE  
FIGURE 22. INPUT NOISE vs FREQUENCY  
FN2944.8  
June 6, 2006  
7

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