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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 10ETS08STRR
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10ETS08STRR

更新时间： 2024-01-19 12:22:14
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 整流二极管输入元件
页数 文件大小 规格书
7页 165K
描述
INPUT RECTIFIER DIODE

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10ETS08STRR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AC包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMD-220, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.24Is Samacsys：N
应用：HIGH VOLTAGE HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

10ETS08STRR 数据手册

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10ETS.., 10ETS..S SAFEIR Series  
Bulletin I2121 rev. C 12/01  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
150  
10ETS.. Series  
10ETS.. Series  
R
(DC) = 2.5 C/W  
R
(DC) = 2.5 C/W  
thJC  
thJC  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
Conduction Angle  
Conduction Period  
30  
30  
60  
60  
6
90  
90  
120  
120  
180  
180  
10 12 14 16 18  
Average Forw ard Current (A)  
DC  
80  
0
2
4
8
10  
12  
0
2
4
6
8
Average Forward Current (A)  
Fig.1-CurrentRatingCharacteristics  
Fig.2-CurrentRatingCharacteristics  
16  
14  
12  
10  
8
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
180  
120  
90  
60  
30  
DC  
180  
120  
90  
60  
30  
RM S Lim it  
RMS Limit  
6
Conduction Period  
6
Conduction Angle  
10ETS.. Series  
4
4
10ETS.. Series  
2
T
= 150 C  
2
T
= 150  
C
J
J
0
0
0
2
4
6
8
10  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
Average Forw ard Current (A)  
Average Forw ard Current (A)  
Fig.3-ForwardPowerLossCharacteristics  
Fig.4-ForwardPowerLossCharacteristics  
240  
220  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
Maxim um Non Repetitive Surge Current  
Versus Pulse Train Duration.  
A t Any Rated Load Condition A nd W ith  
Rated V  
Applie d Following Surge.  
Initial T = 150  
RRM  
C
Initial T = 150 C  
J
J
@ 60 Hz 0.0083 s  
@ 50 Hz 0.0100 s  
No Voltage Reap plied  
Rated V Reapplied  
RRM  
10ETS.. Series  
10ETS.. Series  
60  
60  
40  
0.01  
40  
0.1  
Pulse Train Duration (s)  
1
1
10  
100  
Num ber Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)  
Fig.5-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
Fig.6-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent  
www.irf.com  
3
1234567

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与10ETS08STRR相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
10ETS08STRRPBF VISHAY Input Rectifier Diode, 10 A

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10ETS10PBF VISHAY Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS COMPLIANT

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10ETS10SPBF VISHAY Input Rectifier Diode, 10 A

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