10ETS08STRR

更新时间： 2024-01-02 00:46:07

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管输入元件
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描述
INPUT RECTIFIER DIODE

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10ETS08STRR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AC	包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMD-220, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
应用：	HIGH VOLTAGE HIGH POWER	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

10ETS08STRR 数据手册

10ETS.., 10ETS..S SAFEIR Series

Bulletin I2121 rev. C 12/01

Voltage Ratings

V_RRM, maximum

peak reverse voltage

V_RSM, maximum non repetitive

I_RRM

150°C

peak reverse voltage

Part Number

10ETS08, 10ETS08S

10ETS12, 10ETS12S

800

900

0.5

1200

1300

Absolute Maximum Ratings

Parameters

10ETS.. Units

Conditions

I_F(AV)Max.AverageForwardCurrent

@T_C=105°C,180°conductionhalfsinewave

I_FSMMax.PeakOneCycleNon-Repetitive

SurgeCurrent

170

200

10msSinepulse,ratedV_RRMapplied

10msSine pulse,novoltagereapplied

10msSinepulse,ratedV_RRMapplied

10msSinepulse,novoltagereapplied

t=0.1to10ms,novoltagereapplied

I²t

Max.I²tforfusing

130

A²s

145

I²√t Max.I²√tforfusing

1450

A²√s

Electrical Specifications

Parameters

10ETS..

1.1

Units

Conditions

V_FMMax. Forward Voltage Drop

@ 10A, T_J= 25°C

r_t

Forward slope resistance

mΩ

T_J= 150°C

V_F(TO)Threshold voltage

0.82

0.05

0.50

I_RMMax. Reverse Leakage Current

T_J= 25 °C

V_R= rated V_RRM

T_J= 150 °C

Thermal-Mechanical Specifications

Parameters

10ETS.. Units

Conditions

T_J

Max.JunctionTemperatureRange

-40to150

2.5

°C

T_stgMax.StorageTemperatureRange

R_thJCMax.ThermalResistanceJunction

toCase

R_thJAMax.ThermalResistanceJunction

toAmbient(PCBMount)*

°C/W

DCoperation

°C/W

T_s

SolderingTemperature

ApproximateWeight

240

°C

2(0.07)

g(oz.)

CaseStyle

TO-220AC,D²Pak(SMD-220)

* Whenmountedon1"square(650mm²)PCBofFR-4orG-10material4oz(140µm)copper40°C/W

Forrecommendedfootprintandsolderingtechniquesrefertoapplicationnote#AN-994

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
10ETS08STRRPBF	VISHAY	Input Rectifier Diode, 10 A	获取价格
10ETS10PBF	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS COMPLIANT	获取价格
10ETS10SPBF	VISHAY	Input Rectifier Diode, 10 A	获取价格
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