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10-PC094PC035ME03-L629F46Y

更新时间： 2023-09-03 20:25:04
品牌 Logo 应用领域
VINCOTECH /
页数 文件大小 规格书
17页 6606K
描述
High Blocking Voltage with low drain source on state resistance;High speed SiC-MOSFET technology;Resistant to Latch-up

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10-PC094PC035ME03-L629F46Y 数据手册

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10-PC094PC035ME03-L629F46Y  
datasheet  
H-Bridge Switch Characteristics  
figure 1.  
MOSFET  
figure 2.  
MOSFET  
Typical output characteristics  
Typical output characteristics  
ID = f(VDS  
)
ID = f(VDS)  
150  
150  
125  
100  
75  
VGS  
:
-4 V  
-3 V  
-2 V  
-1 V  
0 V  
125  
100  
75  
50  
25  
0
5 V  
50  
6 V  
7 V  
25  
8 V  
9 V  
0
10 V  
11 V  
12 V  
13 V  
14 V  
15 V  
-25  
-50  
-75  
-100  
-125  
-150  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-5,0  
-2,5  
0,0  
2,5  
5,0  
7,5  
10,0  
12,5  
V
DS(V)  
VDS(V)  
tp  
=
=
tp  
=
250  
15  
μs  
V
250  
150  
μs  
°C  
25 °C  
VGS  
Tj =  
125 °C  
150 °C  
Tj:  
VGS from -4 V to 15 V in steps of 1 V  
figure 3.  
MOSFET  
figure 4.  
MOSFET  
Typical transfer characteristics  
Transient thermal impedance as a function of pulse width  
ID = f(VGS  
)
Zth(j-s) = f(tp)  
1
60  
10  
50  
40  
30  
20  
10  
0
10  
-1  
10  
0,5  
0,2  
-2  
10  
0,1  
0,05  
0,02  
0,01  
0,005  
0
-3  
0
0
10  
-5  
-4  
10  
-3  
10  
-2  
10  
-1  
10  
0
10  
1
10  
2
10  
2
4
6
8
10  
10  
V
GS(V)  
tp(s)  
tp  
=
=
250  
10  
μs  
V
D =  
tp / T  
1,247  
25 °C  
VDS  
125 °C  
150 °C  
Rth(j-s) =  
Tj:  
K/W  
MOSFET thermal model values  
R (K/W)  
τ (s)  
6,45E-02  
1,36E-01  
4,22E-01  
3,45E-01  
2,11E-01  
6,79E-02  
3,56E+00  
5,08E-01  
9,62E-02  
2,46E-02  
5,94E-03  
1,44E-03  
Copyright Vincotech  
6
01 May. 2022 / Revision 1  
1...3456789...17

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