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10-PC094PC035ME03-L629F46Y

更新时间： 2023-09-03 20:25:04

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VINCOTECH		/
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描述
High Blocking Voltage with low drain source on state resistance;High speed SiC-MOSFET technology;Resistant to Latch-up

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10-PC094PC035ME03-L629F46Y 数据手册

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10-PC094PC035ME03-L629F46Y

datasheet

Characteristic Values

Symbol

Parameter

Conditions

Values

Typ

Unit

V_CE[V] I_C[A]

V_DS[V] I_D[A] T_j[°C]

V_GE[V]

V_GS[V]

Min

Max

V_F[V]

I_F[A]

Dynamic

12,8

t_d(on)

Turn-on delay time

125

150

13,6

5,4

t_r

t_d(off)

t_f

Rise time

125

150

R_gon= 4 Ω

R_goff= 4 Ω

42,6

Turn-off delay time

125

150

42,8

43,4

10,9

Fall time

125

150

11,7

10,8

Q_rFWD=0,455 µC

Q_rFWD=0,875 µC

Q_rFWD=0,825 µC

0,459

0,447

0,471

0,082

0,055

0,048

53,52

58,36

62,77

14,5

E_on

Turn-on energy (per pulse)

Turn-off energy (per pulse)

Peak recovery current

Reverse recovery time

Recovered charge

125

150

mWs

E_off

-5/15

600

125

150

I_RRM

125

150

t_rr

125

150

14,6

15,4

0,455

0,875

0,825

0,028

0,196

0,106

11000

13700

15900

di/dt=7340 A/µs

di/dt=7860 A/µs

di/dt=8440 A/µs

Q_r

125

150

μC

E_rec

Reverse recovered energy

Peak rate of fall of recovery current

125

150

mWs

A/µs

(di_rf/dt)_max

125

150

01 May. 2022 / Revision 1

1 2 345 6 7...17

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