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10-E112PNA010M7-L927C78Z

更新时间： 2023-09-03 20:37:23

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VINCOTECH		/
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描述
Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current;Switching optimized for EMC

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10-E112PNA010M7-L927C78Z 数据手册

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10-E112PNA010M7-L927C78Z

datasheet

Characteristic Values

Symbol

Parameter

Conditions

Values

Typ

Unit

V_CE[V] I_C[A]

V_DS[V] I_D[A] T_j[°C]

V_F[V] I_F[A]

V_GE[V]

V_GS[V]

Min

Max

Rectifier Diode

Static

1,15

1,11

1,5⁽¹⁾

V_F

I_R

Forward voltage

125

100

Reverse leakage current

V_r= 1600 V

µA

150

1000

Thermal

λ_paste= 3,4 W/mK

(PSX)

(2)

R_th(j-s)

Thermal resistance junction to sink

1,15

K/W

Thermistor

Static

Δ_R/R

Rated resistance

Deviation of R₁₀₀

Power dissipation

Power dissipation constant

B-value

kΩ

R₁₀₀= 493 Ω

100

-5

245

1,4

mW/K

B_(25/50)

Tol. ±2 %

3375

3437

B_(25/100)

B-value

Vincotech Thermistor Reference

(1)

Value at chip level

(2)

Only valid with pre-applied Vincotech thermal interface material.

19 Mar. 2021 / Revision 4

1...3 4 567 8 9...20

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10-E112PNA015M7-L928C78Z	VINCOTECH	Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive tem	获取价格
10E120-230	ETC	Analog IC	获取价格
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10E181K	WPI	Metal Oxide Varistors	获取价格