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10-E112PNA010M7-L927C78Z

更新时间： 2023-09-03 20:37:23

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VINCOTECH		/
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描述
Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current;Switching optimized for EMC

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10-E112PNA010M7-L927C78Z 数据手册

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10-E112PNA010M7-L927C78Z

datasheet

Characteristic Values

Symbol

Parameter

Conditions

Values

Typ

Unit

V_CE[V] I_C[A]

V_DS[V] I_D[A] T_j[°C]

V_GE[V]

V_GS[V]

Min

Max

V_F[V]

I_F[A]

Inverter Switch

Static

V_GE(th)

Gate-emitter threshold voltage

0,001

5,4

6,6

1,66

1,9

2,15⁽¹⁾

V_CEsat

Collector-emitter saturation voltage

125

150

1,96

I_CES

I_GES

r_g

Collector-emitter cut-off current

Gate-emitter leakage current

Internal gate resistance

Input capacitance

1200

µA

500

None

2000

C_ies

C_oes

C_res

Q_g

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Gate charge

V_CC= 600 V

Thermal

λ_paste= 3,4 W/mK

(PSX)

(2)

R_th(j-s)

Thermal resistance junction to sink

Dynamic

1,69

K/W

127,8

125,6

123,4

t_d(on)

Turn-on delay time

Rise time

125

150

t_r

125

150

32,2

33,8

R_gon= 32 Ω

R_goff= 32 Ω

145,2

179,2

182

t_d(off)

Turn-off delay time

Fall time

125

150

±15

600

98,1

t_f

125

150

107,57

116,71

0,883

1,12

Q_rFWD=1,09 µC

Q_rFWD=1,66 µC

Q_rFWD=1,81 µC

E_on

Turn-on energy (per pulse)

Turn-off energy (per pulse)

125

150

mWs

1,19

0,656

0,86

E_off

125

150

0,908

19 Mar. 2021 / Revision 4

1 2 345 6 7...20

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