0912LD20

更新时间： 2024-11-18 06:20:55

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美高森美 - MICROSEMI		晶体射频场效应晶体管脉冲电子放大器航空局域网
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20 Watts, 28 Volts Pulsed Avionics 960 to 1215 MHz LDMOS FET

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0912LD20 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CASE 55QT, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

0912LD20 数据手册

0912LD20

20 Watts, 28 Volts

Pulsed Avionics 960 to 1215 MHz

LDMOS FET

GENERAL DESCRIPTION

CASE OUTLINE

55QT

(Common Source)

The 0912LD20 is a COMMON SOURCE N-Channel enhancement mode lateral

MOSFET capable of providing 20W_pkof RF power from 960 to 1215 MHz.

The device is nitride passivated and utilizes gold metallization to ensure highest

MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband

capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature,

extends life.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Power Dissipation

Device Dissipation @25°C (P_d)

Voltage and Current

60 W

Drain-Source (V_DSS

Gate-Source (V_GS,V_DS=0)

)

35V

20V

Temperatures

Storage Temperature

Operating Case Temperature

-40 to +150°C

+100°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C

SYMBOL CHARACTERISTICS

TEST CONDITIONS

V_gs= 0V, I_d= 1mA

Drain-Source Leakage Current V_ds= 28V, V_gs= 0V

MIN TYP MAX UNITS

BV_dss

I_dss

Drain-Source Breakdown

µA

I_gss

Gate-Source Leakage Current

Gate Threshold Voltage

Drain-Source On Voltage

Forward Transconductance

Thermal Resistance

V_gs= 10V, V_ds= 0V

V_ds= 10V, I_d= 3mA

V_gs= 10V, I_d= 250mA

V_ds= 10V, I_d= 125mA

µA

V_gs(th)

V_ds(on)

g_FS

0.23

590

0.3

mA/V

ºC/W

θ_JC

FUNCTIONAL CHARACTERISTICS @ 25°C, Vds = 28V, I_dq= 80mA

G_PS

η_d

Common Source Power Gain

Pulse Droop

Pulse width = 32µs, LTDC=2%

F=960/1215 MHz, P_out= 20W

F = 960 MHz, P_out= 20W

0.5

5:1

Drain Efficiency

Load Mismatch

F = 1090 MHz, P_out= 20W

NOTES: 1. At rated output power and pulse conditions

2. Pulse Format 1: 32µs, 2% Long Term Duty Factor

Rev. A - May 2008

Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein. Visit

our web site at www.microsemi.com or contact our factory direct.

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