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05NH45TPA3

更新时间: 2024-11-24 14:45:51
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东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
DIODE 0.5 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

05NH45TPA3 技术参数

生命周期:Lifetime Buy包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.71
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:0.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.2 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

05NH45TPA3 数据手册

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