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| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 100 mA | JEDEC-95代码： | TO-208AC |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大均方根通态电流： | 80 A | 断态重复峰值电压： | 600 V |
| 重复峰值反向电压： | 600 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 050R08G0F | MICROSEMI |
获取价格 |
Anode Gate Silicon Controlled Rectifier |
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| 050R08GOF | ETC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
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| 050R08GOFE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
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| 050R10G0F | MICROSEMI |
获取价格 |
Anode Gate Silicon Controlled Rectifier |
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| 050R10GOF | ETC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 050R10GOFE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC |
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| 050R12G0F | MICROSEMI |
获取价格 |
Anode Gate Silicon Controlled Rectifier |
|
| 050R12GOF | ETC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
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| 050R12GOFE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC |
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| 050RSP1002C | RUBYCON |
获取价格 |
CAP,AL2O3,10MF,50VDC,20% -TOL,20% +TOL |
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