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050R12GOF

更新时间: 2024-02-27 02:36:05
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其他 - ETC 可控硅整流器
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3页 159K
描述
Silicon Controlled Rectifier

050R12GOF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-65
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数:2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.78配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:100 mAJEDEC-95代码:TO-208AC
JESD-30 代码:O-MUPM-D2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:80 A
断态重复峰值电压:1200 V重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

050R12GOF 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
050R12GOFE3 MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC

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