ZXTP718MATC

更新时间： 2024-01-10 20:55:01

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	155K
描述
20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ZXTP718MATC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DFN
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3.5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-30 代码：	S-PDSO-N3
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	Base Number Matches：	1

ZXTP718MATC 数据手册

A Product Line of

Diodes Incorporated

ZXTP718MA

Electrical Characteristics @T_A= 25°C unless otherwise specified

Characteristic

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 6)

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Min

-25

-20

-7

Typ

-35

-25

-8.5

Max

Unit

Test Condition

I_C= -100 µA

I_C= -10 mA

I_E= -100 µA

V_CB= -20V

V_EB= -6V

-100

Emitter Cutoff Current

I_EBO

Collector Emitter Cutoff Current

I_CES

V_CES= -16V

_C= -10mA, V_CE= -2V

_C= -100mA, V_CE= -2V

300

150

475

450

230

Static Forward Current Transfer Ratio

(Note 6)

h_FE

I_C= -2A, V_CE= -2V

_C= -6A, V_CE= -2V

_C=- 0.1A, I_B= -10mA

-19

-30

I_C= -1A, I_B= -20mA

_C= -1.5A, I_B= -50mA

I_C= -2.5A, I_B= -150mA

_C= -3.5A, I_B= -350mA

-170

-190

-240

-225

-220

-250

-350

-300

Collector-Emitter Saturation Voltage

(Note 6)

V_CE(sat)

Base-Emitter Turn-On Voltage (Note 6)

Base-Emitter Saturation Voltage (Note 6)

Output Capacitance

-0.87

-1.01

-0.95

-1.120

V_BE(on)

V_BE(sat)

C_obo

I_C= -3.5A, V_CE= -2V

I_C= -3.5A, I_B= -350mA

V_CB=-10V. f = 1MHz

_CE= -10V, I_C= -50mA,

f = 100MHz

_CC= -10V, I_C= -1A

_B1= I_B2= -10mA

Transition Frequency

150

180

MHz

f_T

Turn-On Time

Turn-Off Time

t_on

t_off

670

Notes:

6. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300 µs. Duty cycle ≤ 2%.

4 of 7

www.diodes.com

December 2010

ZXTP718MA

Document Number DS31939 Rev. 4 - 2

1 2 345 6 7

下载PDF

与ZXTP718MATC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZXTP720MA	DIODES	40V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR	获取价格
ZXTP720MATA	DIODES	40V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR	获取价格
ZXTP722MA	DIODES	70V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR	获取价格
ZXTP722MA_15	DIODES	70V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR	获取价格
ZXTP722MATA	DIODES	70V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR	获取价格
ZXTP749F	DIODES	25V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23	获取价格