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ZXTP717MA

更新时间： 2024-01-26 18:46:54

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美台 - DIODES		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	164K
描述
12V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

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ZXTP717MA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DFN
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	5.74
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	45
JESD-30 代码：	S-PDSO-N3	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	110 MHz
Base Number Matches：	1

ZXTP717MA 数据手册

A Product Line of

Diodes Incorporated

ZXTP717MA

Thermal Characteristics

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

V_CE(SAT)

Limited

10 sqcm

Single

1 oz Cu

T_amb=25°C

100ms

10ms

0.1

1ms

100us

Single Pulse, T_amb=25°C

0.01

0.1

100

125

150

V_CECollector-Emitter Voltage (V)

Temperature (°C)

Derating Curve

Safe Operating Area

225

200

175

150

125

100

10 sqcm

Single

1 oz Cu

D=0.5

1oz copper

Single Pulse

D=0.05

D=0.1

D=0.2

2oz copper

0.1

100µ 1m 10m 100m

100

Pulse Width (s)

Board Cu Area (sqcm)

Thermal Resistance v Board Area

Transient Thermal Impedance

3.5

T_amb=25°C

T_{j max}=150°C

Continuous

2oz copper

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

1oz copper

0.1

100

Board Cu Area (sqcm)

Power Dissipation v Board Area

ZXTP717MA

Document Number DS31881 Rev. 5 - 2

3 of 7

www.diodes.com

January 2011

1 234 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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