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ZXTP2039FTA

更新时间： 2024-01-21 22:59:47

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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5页	151K
描述
SOT23 80 volt PNP silicon planar medium power

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ZXTP2039FTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.39	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

ZXTP2039FTA 数据手册

ZXTP2039F

Electrical characteristics (@T

= 25°C)

AMB

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

Conditions

I =-100␮A

Collector-base breakdown

voltage

-80

(BR)CBO

Collector-emitter breakdown

voltage

-80

I =-1␮A

(BR)CEV

-0.3V < V < 1V

Collector-emitter breakdown

voltage

-60

-5

(BR)CEO

(BR)EBO

I =-10mA

Emitter-base breakdown

voltage

I =-100µA

Collector-emitter cut-off current

Collector-base cut-off current

Emitter-base cut-off current

-100

=-60V

=-4V

CES

CBO

EBO

Static forward current transfer

ratio

100

I =-1mA, V =-5V

C CE

I =-500mA, V =-5V

300

I =-1A, V =-5V

I =-2A, V =-5V

Collector-emitter saturation

voltage

-0.2

-0.3

-0.6

CE(sat)

BE(sat)

I =-100mA, I =-2mA

I =-500mA, I =-50mA

I =-1A, I =-100mA

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter turn-on voltage

Transition frequency

-1.2

-1.0

I =-1A, I =-100mA

BE(on)

I =-1A, V =-5V

150

I =-50mA, V =-10V

f=100MHz

Output capacitance

=-10V, f=1MHz

obo

NOTES:

Measured under pulsed conditions. Pulse width=300␮S. Duty cycle Յ2%

Spice parameter data is available upon request for this device

Issue 3 - August 2005

www.zetex.com

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