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ZXTP2013G

更新时间: 2024-02-04 14:50:55
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美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 123K
描述
100V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN

ZXTP2013G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SOT-89, 4 PINReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.39
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3.5 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15JESD-30 代码:R-PDSO-F4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):125 MHz
Base Number Matches:1

ZXTP2013G 数据手册

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ZXTP2013G  
CHARACTERISTICS  
ISSUE 1 - J UNE 2005  
3
S E M IC O N D U C T O R S  

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