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ZXTP2012ZTA

更新时间: 2024-01-28 15:14:29
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美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 122K
描述
60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

ZXTP2012ZTA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-89
包装说明:SOT-89, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.13Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):4.3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JESD-30 代码:R-PSFM-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):2.1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):120 MHzBase Number Matches:1

ZXTP2012ZTA 数据手册

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ZXTP2012Z  
CHARACTERISTICS  
ISSUE 1 - J UNE 2005  
3
S E M IC O N D U C T O R S  

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