5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZXTP2012ASTOA
ZXTP2012ASTOA PDF预览

ZXTP2012ASTOA

更新时间： 2024-02-06 15:38:26
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
6页 115K
描述
60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE

阅读下载

获取价格

ZXTP2012ASTOA 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-89
包装说明：SOT-89, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.13Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：4.3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSFM-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

ZXTP2012ASTOA 数据手册

 浏览型号ZXTP2012ASTOA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ZXTP2012ASTOA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZXTP2012ASTOA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZXTP2012ASTOA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ZXTP2012ASTOA的Datasheet PDF文件第6页 
ZXTP2012A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
SYMBOL  
PARAMETER  
MIN.  
-100  
-100  
-60  
TYP. MAX. UNIT CONDITIONS  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
BV  
BV  
BV  
BV  
-120  
-120  
-80  
V
V
I =-100␮A  
C
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
I =-1␮A, RBՅ1k⍀  
C
V
I =-10mA*  
C
-7  
-8.1  
Ͻ1  
V
I =-100␮A  
E
I
-20  
-0.5  
-20  
nA  
␮A  
nA  
␮A  
nA  
V
V
V
V
=-80V  
CB  
CBO  
=-80V, T  
=100ЊC  
=100ЊC  
CB  
amb  
Collector cut-off current  
I
Ͻ1  
=-80V  
CER  
CB  
RՅ1k⍀  
-0.5  
-10  
=-80V, T  
CB  
amb  
Emitter cut-off current  
I
Ͻ1  
-14  
-50  
V
=-6V  
EB  
EBO  
Collector-emitter saturation voltage  
V
-20  
mV I =-0.1A, I =-10mA*  
C B  
CE(SAT)  
-65  
mV I =-1A, I =-100mA*  
C B  
-80  
-115  
-210  
mV I =-2A, I =-200mA*  
C B  
-145  
mV I =-4A, I =-400mA*  
C B  
Base-emitter saturation voltage  
Base-emitter turn-on voltage  
V
V
h
-960 -1060 mV I =-4A, I =-400mA*  
C B  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
-850  
250  
200  
120  
25  
-960  
mV I =-4A, V =-1V*  
C CE  
Static forward current transfer ratio  
100  
100  
65  
I =-10mA, V =-1V*  
C CE  
300  
I =-1A, V =-1V*  
C
CE  
I =-4A, V =-1V*  
C
CE  
10  
I =-10A, V =-1V*  
C CE  
Transition frequency  
f
120  
MHz I =-100mA, V =-10V  
T
C
CE  
f=50MHz  
Output capacitance  
Switching times  
C
48  
39  
pF  
V
=-10V, f=1MHz*  
CB  
OBO  
t
t
ns I =-1A, V =-10V,  
ON  
C
CC  
370  
I
=I =-100mA  
B1 B2  
OFF  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ 300␮s; duty cycle Յ 2%.  
ISSUE 2 - NOVEMBER 2005  
4
SEMICONDUCTORS  
123456

下载PDF

与ZXTP2012ASTOA相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
ZXTP2012ASTZ ZETEX 60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE

获取价格
ZXTP2012ATOA DIODES 暂无描述

获取价格
ZXTP2012ATOA ZETEX Small Signal Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

获取价格
ZXTP2012G DIODES 60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

获取价格
ZXTP2012G ZETEX 60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

获取价格
ZXTP2012GTA DIODES 60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

获取价格

与ZXTP2012ASTOA相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证