ZXTN5551FL

更新时间： 2024-01-07 14:05:25

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美台 - DIODES		晶体晶体管高压
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8页	207K
描述
160V, SOT23, NPN High voltage transistor

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ZXTN5551FL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.35	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	600 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
Base Number Matches：	1

ZXTN5551FL 数据手册

ZXTN5551FL

Electrical characteristics (at T

= 25°C unless otherwise stated)

amb

Parameter

Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions

Collector-base breakdown

voltage

180

160

270

200

I = 100␮A

CBO

CEO

(*)

Collector-emitter

breakdown voltage (base

open)

I = 1mA

Emitter-base breakdown

voltage

7.85

I = 10␮A

EBO

Collector cut-off current

␮A

= 120V

CBO

= 120V, T

= 100°C

amb

(*)

Collector-emitter saturation V

voltage

150

I = 10mA, I = 1mA

CE(sat)

BE(sat)

(*)

115

760

840

135

145

200

1000

1200

I = 50mA, I = 5mA

Base-emitter saturation

voltage

I = 10mA, I = 1mA

I = 50mA, I = 5mA

(*)

Static forward current

transfer ratio

I = 1mA, V = 5V

(*)

250

I = 10mA, V = 5V

I = 50mA, V = 5V

Transition frequency

130

MHz I = 10mA, V = 10V,

f = 100MHz

(*)

Output capacitance

Small signal

= 10V, f = 1MHz

OBO

260

I = 10mA, V = 10V,

(†)

f=1kHz

Delay time

Rise time

= 10V, I = 10mA, I

= 1mA

(d)

(r)

(s)

(f)

Storage time

Fall time

1256

140

NOTES:

(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ300␮s; duty cycle Յ2%.

(†) Periodic sample test only

Issue 1 - August 2007

www.zetex.com

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